TSMT NPN 30V 2A
Bipolar BJT Transistor
得捷:
TRANS NPN 30V 2A TSMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 2A
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TSMT T/R
Win Source:
TRANS NPN 30V 2A TSMT3
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 500 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 180 @100mA, 2V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TSMT-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 TSMT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SC5916TLR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS4230T,215 安世 | 功能相似 | 2SC5916TLR和PBSS4230T,215的区别 |
2SD2671TL 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SC5916TLR和2SD2671TL的区别 |