ROHM 2SD1898T100Q 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3
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TRANS NPN 80V 1A MPT3
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NPN 80V 1A
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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE
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# ROHM 2SD1898T100Q Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE
Win Source:
TRANS NPN 80V 1A SOT-89
频率 100 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 82
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SD1898T100Q ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
NTE2428 NTE Electronics | 类似代替 | 2SD1898T100Q和NTE2428的区别 |
2SD1898T100 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1898T100Q和2SD1898T100的区别 |
FCX493TA 美台 | 功能相似 | 2SD1898T100Q和FCX493TA的区别 |