2SB1218A0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SB1218A0L概述

PNP硅外延平面型 Silicon PNP epitaxial planar type

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1

得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SMINI3

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SMini3-G1

Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P

2SB1218A0L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 160 @2mA, 10V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SB1218A0L

描述：PNP硅外延平面型 Silicon PNP epitaxial planar type