







VMT PNP 12V 0.5A
- 双极 BJT - 单 PNP 12 V 500 mA 260MHz 150 mW 表面贴装型 VMT3
得捷:
TRANS PNP 12V 0.5A VMT3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 3-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
Win Source:
TRANS PNP 12V 0.5A VMT3
频率 260 MHz
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -500 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
长度 1.2 mm
宽度 0.80 mm
高度 0.50 mm
封装 VMT-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SA2030T2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA2018TL 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SA2030T2L和2SA2018TL的区别 |
2SA2119KT146 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SA2030T2L和2SA2119KT146的区别 |
2SA2162G0L 松下 | 功能相似 | 2SA2030T2L和2SA2162G0L的区别 |