2SC5658T2LR参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5658T2LR概述

2SC5658T2LR 编带

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount VMT3

立创商城:
NPN 50V 150mA

得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3

欧时:
Transistor,SMT,2SC5658T2LR,NPN,50V,0.15A

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R

儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 50V 0,15A HFE180 **

Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3

2SC5658T2LR中文资料参数规格

技术参数

频率 180 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 150 mA

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 VMT-3

外形尺寸

封装 VMT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2SC5658T2LR引脚图与封装图

在线购买2SC5658T2LR

型号： 2SC5658T2LR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：2SC5658T2LR 编带

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替代型号2SC5658T2LR

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