2SB1188T100R

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2SB1188T100R概述

PNP -32V -2A功率晶体管

- 双极 BJT - 单 PNP 32 V 2 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS PNP 32V 2A MPT3


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PNP 32V 2A


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Trans GP BJT PNP 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R


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2SB1188 Series 32 V 2 A SMT PNP Medium Power Transistor - SC-62


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**PNP TRANSISTOR 2A HFE180 MPT3 **


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TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89


Win Source:
TRANS PNP 32V 2A SO-89


2SB1188T100R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -2.00 A

额定功率 2 W

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 82

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SB1188T100R
型号: 2SB1188T100R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:PNP -32V -2A功率晶体管
替代型号2SB1188T100R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SB1188T100R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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罗姆半导体

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