2SAR542F3TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SAR542F3TR概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 4.5-5.5V 1ch Nch FET LDO Controllers

- 双极 BJT - 单 PNP 30 V 3 A 240MHz 2.1 W 表面贴装型 HUML2020L3

得捷:
TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 4.5-5.5V 1ch Nch FET LDO Controllers

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUML EP T/R

安富利:
ROH2SAR542F3TR

2SAR542F3TR中文资料参数规格

技术参数

额定功率 2.1 W

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 500

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UDFN-3

外形尺寸

封装 UDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

2SAR542F3TR引脚图与封装图

在线购买2SAR542F3TR

型号： 2SAR542F3TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 4.5-5.5V 1ch Nch FET LDO Controllers