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2SB09760RA概述

TO-92-B1 PNP 18V 5A

Bipolar BJT Transistor PNP 18V 5A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-B1

得捷:
TRANS PNP 18V 5A TO92-B1

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 18V 5A 3-Pin TO-92-B1

2SB09760RA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -18.0 V

额定电流 -5.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 18 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 180 @2A, 2V

额定功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SB09760RA

描述：TO-92-B1 PNP 18V 5A