2SD21330RA参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

2SD21330RA图片1

2SD21330RA图片2

2SD21330RA概述

MT-3-A1 NPN 50V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 1A 200MHz 1.5W Through Hole MT-3-A1

得捷:
TRANS NPN 50V 1A MT-3

Win Source:
TRANS NPN 50V 1A MT-3

2SD21330RA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 MT-3-A1

外形尺寸

封装 MT-3-A1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2SD21330RA

型号： 2SD21330RA

制造商： Panasonic 松下

描述：MT-3-A1 NPN 50V 1A