2SB1181TLR

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2SB1181TLR概述

CPT PNP 80V 1A

- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 CPT3


立创商城:
PNP 80V 1A


得捷:
TRANS PNP 80V 1A CPT3


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-428


Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SOT-428


2SB1181TLR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V

额定功率Max 10 W

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SB1181TLR引脚图与封装图
2SB1181TLR引脚图
2SB1181TLR封装图
2SB1181TLR封装焊盘图
在线购买2SB1181TLR
型号: 2SB1181TLR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:CPT PNP 80V 1A
替代型号2SB1181TLR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SB1181TLR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SB1181TLQ

罗姆半导体

类似代替

2SB1181TLR和2SB1181TLQ的区别

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