2N2219参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2N2219中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-39-3

外形尺寸

长度 9.4 mm

宽度 9.4 mm

高度 6.6 mm

封装 TO-39-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2N2219

型号： 2N2219

制造商： Central Semiconductor

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Ampl/Switch

替代型号2N2219

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2N2219 Central Semiconductor	当前型号	当前型号
2N2219A 意法半导体	功能相似	2N2219和2N2219A的区别
JANTX2N2219A 美高森美	功能相似	2N2219和JANTX2N2219A的区别
JAN2N2219 美高森美	功能相似	2N2219和JAN2N2219的区别