2SD2673TL概述
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 200 MHz, 500 mW, 3 A, 270 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 200MHz 表面贴装型 TSMT3
得捷:
TRANS NPN 30V 3A TSMT3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin TSMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin TSMT T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
Win Source:
TRANS NPN 30V 3A TSMT 3
2SD2673TL中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
额定功率 1 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.60 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买2SD2673TL
型号： 2SD2673TL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：单晶体管 双极, NPN, 30 V, 200 MHz, 500 mW, 3 A, 270 hFE