CPT PNP 50V 3A
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 5A 300MHz 10W Surface Mount CPT3
得捷:
TRANS PNP 30V 5A CPT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT I2C BUS 8Kbit EEPROM
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 5A 10000mW 3-Pin2+Tab CPT T/R
儒卓力:
**PNP SWITCH-TRANSISTOR 30V CPT3 **
Win Source:
TRANS PNP 30V 5A CPT3 / Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 5 A 300MHz 10 W Surface Mount CPT3
极性 PNP
耗散功率 10 W
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 10 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SAR572DGTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SAR572D3TL1 罗姆半导体 | 完全替代 | 2SAR572DGTL和2SAR572D3TL1的区别 |