耗散功率 200 W
增益频宽积 4 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 2V
额定功率Max 5 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-204
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
2N4399
Central Semiconductor
当前型号
2N4398
NTE Electronics
类似代替
JAN2N4399
美高森美