2SC6026MFVGR,L3F

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2SC6026MFVGR,L3F概述

2SC6026MFVGR,L3F 编带

* High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA max * Excellent hFE linearity : hFE IC = 0.1 mA/hFE IC = 2 mA = 0.95 typ. * High hFE : hFE = 120 to 400 * Complementary to 2SA2154MFV


得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A VESM


立创商城:
NPN 50V 150mA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VESM Embossed T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A VESM


2SC6026MFVGR,L3F中文资料参数规格
技术参数

频率 60 MHz

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

宽度 0.8 mm

封装 SOT-723-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SC6026MFVGR,L3F引脚图与封装图
2SC6026MFVGR,L3F引脚图
2SC6026MFVGR,L3F封装图
2SC6026MFVGR,L3F封装焊盘图
在线购买2SC6026MFVGR,L3F
型号: 2SC6026MFVGR,L3F
制造商: Toshiba 东芝
描述:2SC6026MFVGR,L3F 编带

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