低频晶体管( 32V , 0.8A ) Low Frequency Transistor 32V, 0.8A
- 双极 BJT - 单
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TRANS PNP 32V 0.8A SOT-346
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PNP 32V 800mA
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Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
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额定电压DC -32.0 V
额定电流 -800 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.6 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SB1197KT146R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1197KT146Q 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SB1197KT146R和2SB1197KT146Q的区别 |