2SB1197KT146R

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2SB1197KT146R概述

低频晶体管( 32V , 0.8A ) Low Frequency Transistor 32V, 0.8A

- 双极 BJT - 单


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TRANS PNP 32V 0.8A SOT-346


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PNP 32V 800mA


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Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R


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2SB1197KT146R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -800 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.6 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SB1197KT146R引脚图与封装图
2SB1197KT146R引脚图
2SB1197KT146R封装图
2SB1197KT146R封装焊盘图
在线购买2SB1197KT146R
型号: 2SB1197KT146R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:低频晶体管( 32V , 0.8A ) Low Frequency Transistor 32V, 0.8A
替代型号2SB1197KT146R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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2SB1197KT146Q

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