2SCR533PT100参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SCR533PT100概述

NPN 50V 3.0A中功率晶体管 NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 3 A 320MHz 2 W 表面贴装型 MPT3

得捷:
TRANS NPN 50V 3A MPT3

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NPN 50V 3A

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Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A Transistor

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Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R

DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 50V 3A SOT-89

Win Source:
TRANS NPN 50V 3A SOT-89

2SCR533PT100中文资料参数规格

技术参数

频率 320 MHz

额定功率 2 W

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 180 @50mA, 3V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SCR533PT100引脚图与封装图

在线购买2SCR533PT100

型号： 2SCR533PT100

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：NPN 50V 3.0A中功率晶体管 NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor

替代型号2SCR533PT100

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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