2SCR502EBTL

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2SCR502EBTL概述

单晶体管 双极, NPN, 30 V, 360 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 360MHz 表面贴装型 EMT3F(SOT-416FL)


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TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F


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NPN 30V 500mA


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Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver


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Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R


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Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 3-Pin SOT-416FL T/R


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Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R


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TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F / Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 500 mA 360MHz 150 mW Surface Mount EMT3F SOT-416FL


2SCR502EBTL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 360 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 500

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

2SCR502EBTL引脚图与封装图
2SCR502EBTL引脚图
2SCR502EBTL封装图
2SCR502EBTL封装焊盘图
在线购买2SCR502EBTL
型号: 2SCR502EBTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:单晶体管 双极, NPN, 30 V, 360 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE

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