2SB1182TLR参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SB1182TLR概述

中等功率晶体管（ 32V ， 2A ） Medium power transistor 32V,2A

Bipolar BJT Transistor PNP 32V 2A 100MHz 10W Surface Mount CPT3

得捷:
TRANS PNP 32V 2A CPT3

立创商城:
PNP 32V 2A

安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 32V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Win Source:
TRANS PNP 32V 2A SOT-428

2SB1182TLR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 10 W

耗散功率Max 10 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1182TLR

型号： 2SB1182TLR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：中等功率晶体管（ 32V ， 2A ） Medium power transistor 32V,2A

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替代型号2SB1182TLR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SB1182TLR ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
2DB1182Q-13 美台	功能相似	2SB1182TLR和2DB1182Q-13的区别

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