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2N4923图片1

2N4923中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

额定功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2N4923

型号： 2N4923

制造商： Central Semiconductor

描述：Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-126 Box

替代型号2N4923

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2N4923

Central Semiconductor

当前型号

当前型号

2N4923LEADFREE

Central Semiconductor

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2N4923和2N4923LEADFREE的区别