2SD2096T114E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD2096T114E概述

HRT NPN 60V 3A

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 3A 8MHz 1.8W Through Hole HRT

得捷:
TRANS NPN 60V 3A HRT

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin HRT

2SD2096T114E中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

额定功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 HRT

外形尺寸

封装 HRT

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD2096T114E

型号： 2SD2096T114E

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：HRT NPN 60V 3A