2SCR552PT100参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SCR552PT100概述

MPT NPN 30V 3A

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 3A 280MHz 2W Surface Mount MPT3

得捷:
TRANS NPN 30V 3A MPT3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R

2SCR552PT100中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 PB free

数据手册

2SCR552PT100引脚图与封装图

在线购买2SCR552PT100

型号： 2SCR552PT100

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MPT NPN 30V 3A

替代型号2SCR552PT100

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SCR552PT100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
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