2N4398

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2N4398中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 2V

额定功率Max 5 W

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N4398
型号: 2N4398
制造商: Central Semiconductor
描述:Power Bipolar Transistor, 30A IC, 40V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2Pin, TO-3, 2Pin
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