2SD20640S参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD20640S概述

TOP-3F-A1 NPN 120V 10A

Bipolar BJT Transistor NPN 120V 6A 20MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1

得捷:
TRANS NPN 120V 6A TOP-3F

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 120V 6A 3-Pin TOP-3F-A1

2SD20640S中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 6.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V

额定功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TOP-3

外形尺寸

封装 TOP-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2SD20640S

型号： 2SD20640S

描述：TOP-3F-A1 NPN 120V 10A