2SC5729T106R概述
UMT NPN 30V 0.5A
Bipolar BJT Transistor NPN 30V 500mA 300MHz 200mW Surface Mount UMT3
得捷:
TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN
安富利:
* High speed switching. Tf : Typ. : 50ns at IC = 500mA * Low saturation voltage, typically Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA * Strong discharge power for inductive load and capacitance load. * Complements the 2SA2047
Win Source:
TRANS NPN 30V 0.5A SC70
2SC5729T106R中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 180 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 180 @50mA, 2V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 UMT-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 UMT-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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