2SC5865TLQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5865TLQ概述

TSMT NPN 60V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 1A 250MHz 500mW Surface Mount TSMT3

得捷:
TRANS NPN 60V 1A TSMT3

安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TSMT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TSMT T/R

Win Source:
TRANS NPN 60V 1A TSMD3

2SC5865TLQ中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 2V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TSMT-3

外形尺寸

封装 TSMT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SC5865TLQ

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：TSMT NPN 60V 1A