2SCR293PT100

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2SCR293PT100概述

30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管

- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 1 A 320MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS NPN 30V 1A MPT3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 1A


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R


力源芯城:
30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管


Win Source:
TRANS NPN 30V 1A MPT3 / Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 1 A 320MHz 2 W Surface Mount MPT3


2SCR293PT100中文资料参数规格
技术参数

频率 320 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

增益频宽积 320 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 680

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SCR293PT100
型号: 2SCR293PT100
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管
替代型号2SCR293PT100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SCR293PT100

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2DD1664P-13

美台

功能相似

2SCR293PT100和2DD1664P-13的区别

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