2SB1424T100Q

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2SB1424T100Q概述

20V,-3A,500mW,PNP低饱和双极晶体管

- 双极 BJT - 单 PNP 20 V 3 A 240MHz 500 mW 表面贴装型 MPT3


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PNP 20V 3A


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 20V 3A SO-89


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-20V,-3A,500mW,PNP低饱和双极晶体管


Win Source:
TRANS PNP 20V 3A SOT-89


2SB1424T100Q中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买2SB1424T100Q
型号: 2SB1424T100Q
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:20V,-3A,500mW,PNP低饱和双极晶体管
替代型号2SB1424T100Q
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SB1424T100Q

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2DB1424R-13

美台

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2SB1424T100Q和2DB1424R-13的区别

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