2SB1132T100Q

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2SB1132T100Q概述

2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率晶体管 - SC-62

- 双极 BJT - 单 PNP 32 V 1 A 150MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS PNP 32V 1A MPT3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 32V 1A SO-89


艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R


Win Source:
TRANS PNP 32V 1A SO-89


2SB1132T100Q中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买2SB1132T100Q
型号: 2SB1132T100Q
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率晶体管 - SC-62
替代型号2SB1132T100Q
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SB1132T100Q

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SB1132-Q-TP

美微科

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2SB1132T100Q和2SB1132-Q-TP的区别

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