2SCR513PT100参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SCR513PT100概述

2SCR513PT100 编带

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 1 A 360MHz 2 W 表面贴装型 MPT3

得捷:
TRANS NPN 50V 1A MPT3

立创商城:
NPN 50V 1A

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 1A 4PIN

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Trans GP BJT NPN 50V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R

Win Source:
TRANS NPN 50V 1A MPT3

2SCR513PT100中文资料参数规格

技术参数

频率 360 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

增益频宽积 360 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 180 @50mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 450

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SCR513PT100

型号： 2SCR513PT100

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：2SCR513PT100 编带

替代型号2SCR513PT100

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SCR513PT100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
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