2SB1132T100P概述
中等功率晶体管（ -32V ，我?? -1A ） Medium Power Transistor -32V,ï -1A
- 双极 BJT - 单 PNP 32 V 1 A 150MHz 2 W 表面贴装型 MPT3
得捷:
TRANS PNP 32V 1A MPT3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Win Source:
TRANS PNP 32V 1A SOT-89
2SB1132T100P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 82 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
外形尺寸
封装 MPT-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买2SB1132T100P
型号： 2SB1132T100P
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：中等功率晶体管（ -32V ，我?? -1A ） Medium Power Transistor -32V,ï -1A