2SD1766T100Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1766T100Q概述

中等功率晶体管（ 32V ， 2A ） Medium power transistor 32V, 2A

Features

1 Low VCEsat. VCEsat= 0.5V Typ.IC/IB= 2A / 0.2A

2 Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

立创商城:
NPN 32V 2A

得捷:
TRANS NPN 32V 2A MPT3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 2A

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Trans GP BJT NPN 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

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Trans GP BJT NPN 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

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Trans GP BJT NPN 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Win Source:
TRANS NPN 32V 2A SOT-89

2SD1766T100Q中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 32.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

耗散功率 2 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1766T100Q

型号： 2SD1766T100Q

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：中等功率晶体管（ 32V ， 2A ） Medium power transistor 32V, 2A

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替代型号2SD1766T100Q

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