MPT PNP 30V 1A
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 1A 320MHz 2W Surface Mount MPT3
得捷:
TRANS PNP 30V 1A MPT3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R
频率 320 MHz
极性 PNP
耗散功率 2 W
增益频宽积 320 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
封装 MPT-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SAR293PT100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1733TL 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SAR293PT100和2SB1733TL的区别 |