2SD1766T100R参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1766T100R概述

2SD1766 系列 32 V 2 A 表面贴装 NPN 中等功率晶体管 - SC-62

Features

1 Low VCEsat. VCEsat= 0.5V Typ.IC/IB= 2A / 0.2A

2 Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

立创商城:
NPN 32V 2A

得捷:
TRANS NPN 32V 2A MPT3

安富利:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Win Source:
TRANS NPN 32V 2A SOT-89

2SD1766T100R中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 32.0 V

额定电流 2.00 A

额定功率 2 W

极性 NPN

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1766T100R

型号： 2SD1766T100R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：2SD1766 系列 32 V 2 A 表面贴装 NPN 中等功率晶体管 - SC-62

替代型号2SD1766T100R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SD1766T100R ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
2SD1766T100 罗姆半导体	类似代替	2SD1766T100R和2SD1766T100的区别
2SD1766T100Q 罗姆半导体	功能相似	2SD1766T100R和2SD1766T100Q的区别
2DD1766R-13 美台	功能相似	2SD1766T100R和2DD1766R-13的区别