MPT PNP 80V 0.7A
Bipolar BJT Transistor PNP 80V 700mA 380MHz 2W Surface Mount MPT3
得捷:
TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R
安富利:
Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market.
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R
频率 380 MHz
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
封装 MPT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SAR514PT100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SAR533PT100 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SAR514PT100和2SAR533PT100的区别 |
2SAR553PT100 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SAR514PT100和2SAR553PT100的区别 |
2SAR513PT100 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SAR514PT100和2SAR513PT100的区别 |