ROHM 2SD2662T100 单晶体管 双极, 高速, NPN, 30 V, 330 MHz, 500 mW, 1.5 A, 270 hFE
· Low VCEsat · Small Surface Mount Package · Pb Free/RoHS Compliant
得捷:
TRANS NPN 30V 1.5A MPT3
e络盟:
单晶体管 双极, 高速, NPN, 30 V, 330 MHz, 500 mW, 1.5 A, 270 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Newark:
# ROHM 2SD2662T100 Bipolar BJT Single Transistor, High Speed, NPN, 30 V, 330 MHz, 500 mW, 1.5 A, 270 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 30V 1.5A SOT-89
Win Source:
TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
频率 330 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
封装 SOT-89
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SD2662T100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SCR512P5T100 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SD2662T100和2SCR512P5T100的区别 |