2SD2662T100

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2SD2662T100概述

ROHM  2SD2662T100  单晶体管 双极, 高速, NPN, 30 V, 330 MHz, 500 mW, 1.5 A, 270 hFE

· Low VCEsat · Small Surface Mount Package · Pb Free/RoHS Compliant


得捷:
TRANS NPN 30V 1.5A MPT3


e络盟:
单晶体管 双极, 高速, NPN, 30 V, 330 MHz, 500 mW, 1.5 A, 270 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Newark:
# ROHM  2SD2662T100  Bipolar BJT Single Transistor, High Speed, NPN, 30 V, 330 MHz, 500 mW, 1.5 A, 270 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 30V 1.5A SOT-89


Win Source:
TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89


2SD2662T100中文资料参数规格
技术参数

频率 330 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 270

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

2SD2662T100引脚图与封装图
2SD2662T100引脚图
2SD2662T100封装图
2SD2662T100封装焊盘图
在线购买2SD2662T100
型号: 2SD2662T100
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  2SD2662T100  单晶体管 双极, 高速, NPN, 30 V, 330 MHz, 500 mW, 1.5 A, 270 hFE
替代型号2SD2662T100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD2662T100

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SCR512P5T100

罗姆半导体

功能相似

2SD2662T100和2SCR512P5T100的区别

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