2SB1188T100P概述
MPT PNP 32V 2A
- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 MPT3
得捷:
TRANS PNP 32V 2A MPT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 2A
安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Win Source:
TRANS PNP 32V 2A SOT-89
2SB1188T100P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 2000 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 82 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 82 @0.5A, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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