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NPN三极管 40V 2A 100MHz 120~270 500mV TO-252 代码

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Medium Power Transistor 32V, 2A Features

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Low VCEsat. VCEsat = 0.5VTyp. （IC / IB = 2A / 0.2A） Structure *Epitaxial planar type *NPN silicon transistor 描述与应用| 中等功率 （32V，2A） 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 *外延平面型 * NPN硅的晶体管