ROHM 2SB1386T100Q 单晶体管 双极, 双路, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE
- 双极 BJT - 单 PNP 20 V 5 A 120MHz 2 W 表面贴装型 MPT3
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TRANS PNP 20V 5A MPT3
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PNP 20V 5A
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Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A
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ROHM 2SB1386T100Q 单晶体管 双极, 双路, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE
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Trans GP BJT PNP 20V 5A 4-Pin3+Tab MPT T/R
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PNP,-20V,-5A高速开关晶体管
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TRANS PNP 20V 5A SOT-89
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TRANS PNP 20V 5A SOT-89
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 500 mW
增益频宽积 120 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 82
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-243
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-243
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SB1386T100Q ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1386T100R 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SB1386T100Q和2SB1386T100R的区别 |
2SB1386R 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SB1386T100Q和2SB1386R的区别 |
PBSS5520X,135 恩智浦 | 功能相似 | 2SB1386T100Q和PBSS5520X,135的区别 |