双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DVR NPN 32V 2A
Features
1 Low VCEsat. VCEsat= 0.5V Typ.IC/IB= 2A / 0.2A
2 Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
得捷:
TRANS NPN 32V 2A MPT3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DVR NPN 32V 2A
安富利:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Win Source:
TRANS NPN 32V 2A SOT-89
额定电压DC 32.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 82 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 82 @500mA, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1766T100P ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1766T100R 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SD1766T100P和2SD1766T100R的区别 |
2SD1766 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SD1766T100P和2SD1766的区别 |