2SD2167T100P参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD2167T100P概述

MPT NPN 35V 2A

Bipolar BJT Transistor NPN 31V 2A 100MHz 2W Surface Mount MPT3

得捷:
TRANS NPN 31V 2A MPT3

Win Source:
TRANS NPN 31V 2A SOT-89

2SD2167T100P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 31.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 31 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 82 @500mA, 3V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD2167T100P

型号： 2SD2167T100P

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MPT NPN 35V 2A