2SD2118TLR参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD2118TLR概述

ROHM 2SD2118TLR 单晶体管双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 1 W, 5 A, 120 hFE

Features

1 Low VCEsat.

VCEsat= 0.25V Typ.

IC/IB= 4A / 0.1A

2 Excellent DC current gain characteristics.

3 Complements the 2SB1412.

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

得捷:
TRANS NPN 20V 5A CPT3

e络盟:
ROHM 2SD2118TLR 单晶体管双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 1 W, 5 A, 120 hFE

艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin2+Tab CPT T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Win Source:
TRANS NPN 20V 5A SOT-428

2SD2118TLR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 5.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 2V

额定功率Max 10 W

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买2SD2118TLR

型号： 2SD2118TLR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ROHM 2SD2118TLR 单晶体管双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 1 W, 5 A, 120 hFE

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替代型号2SD2118TLR

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