2SB1260T100P参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SB1260T100P概述

MPT PNP 80V 1A

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3

得捷:
TRANS PNP 80V 1A MPT3

安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SOT-89

2SB1260T100P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 82 @100mA, 3V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1260T100P

型号： 2SB1260T100P

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MPT PNP 80V 1A