2SB1308T100R概述
MPT PNP 20V 3A
- 双极 BJT - 单 PNP 20 V 3 A 120MHz 2 W 表面贴装型 MPT3
得捷:
TRANS PNP 20V 3A MPT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 3A
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 20V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Win Source:
TRANS PNP 20V 3A SOT89
2SB1308T100R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 2 W
增益频宽积 120 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 82
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MPT-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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