MPT NPN 20V 3A
Bipolar BJT Transistor NPN 20V 3A 150MHz 2W Surface Mount MPT3
得捷:
TRANS NPN 20V 3A MPT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Win Source:
TRANS NPN 20V 3A SOT-89
额定电压DC 20.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 2000 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 180 @500mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
封装 MPT-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1963T100R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1963T100S 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1963T100R和2SD1963T100S的区别 |
2SD1963 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1963T100R和2SD1963的区别 |
2SD1963T100Q 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SD1963T100R和2SD1963T100Q的区别 |