2SB1183TL

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2SB1183TL概述

CPT PNP 2A

* Darlington connection for high DC current gain * Built-in 4kΩ resistor between base and emitter * Complements the 2SD1759 / 2SD1861


得捷:
TRANS PNP DARL 40V 2A CPT3


贸泽:
Darlington Transistors DVR PNP 40V 2A


安富利:
Trans Darlington PNP 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
TRANS PNP DARL 40V 2A SOT-428


2SB1183TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000

最大电流放大倍数hFE 1000

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1183TL
型号: 2SB1183TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:CPT PNP 2A
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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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