2SC4132T100P

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2SC4132T100P概述

MPT NPN 120V 2A

- 双极 BJT - 单 NPN 120 V 2 A 80MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS NPN 120V 2A MPT3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT DVR NPN 120V 1.5A


安富利:
Trans GP BJT NPN 120V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Win Source:
TRANS NPN 120V 2A SOT89


2SC4132T100P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 2 W

增益频宽积 80 MHz

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 82

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-62-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SC-62-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC4132T100P
型号: 2SC4132T100P
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MPT NPN 120V 2A

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