2SD1898T100P参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1898T100P概述

MPT NPN 80V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount MPT3

得捷:
TRANS NPN 80V 1A MPT3

安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Win Source:
TRANS NPN 80V 1A SOT-89

2SD1898T100P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 82 @500mA, 3V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1898T100P

型号： 2SD1898T100P

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MPT NPN 80V 1A

替代型号2SD1898T100P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SD1898T100P ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
2SD1898T100R 罗姆半导体	类似代替	2SD1898T100P和2SD1898T100R的区别
2SD1664T100R 罗姆半导体	功能相似	2SD1898T100P和2SD1664T100R的区别
2SD1664T100P 罗姆半导体	功能相似	2SD1898T100P和2SD1664T100P的区别