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低VCE （ sat）的晶体管（频闪闪光灯） Low VCEsat TransistorStrobe flash

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| applications Low VCEsat TransistorStrobe flash Features

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Low VCE饱和. VCE饱和 = 0.25V Typ. IC / IB = 4A / 0.1A * Excellent DC current gain characteristics. structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 应用 低VCE（sat）的 （频闪闪光） 特点 *低VCE（饱和）。 VCE（饱和）= 0.25V （IC / IB= 4A/0.1A） *优异的DC电流增益特性。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管