功率晶体管（ 50V ， 3A ） Power Transistor 50V, 3A
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| features- .
- Low VCEsat. VCEsat = 0.5V Typ. IC / IB = 2A / 0.2A structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅
额定电压DC 50.0 V
额定电流 3.00 A
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 15000 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V
额定功率Max 15 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 15000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1760TLR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1760TLQ 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1760TLR和2SD1760TLQ的区别 |
2SD1760TLP 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1760TLR和2SD1760TLP的区别 |